삼성, SK hynix, Micron, CXMT의 EUV 전략을 나눠 보면

핵심 요약

삼성은 DRAM 페이지에서 EUV advanced processing을 공식적으로 강조하고, HBM 페이지에서는 1c DRAM 기반 HBM4/HBM4E를 내세웁니다.

즉 삼성의 EUV 전략은 메모리 세대 전환과 HBM AI 수요를 함께 겨냥하는 구조입니다.

장점은 범위가 넓다는 점이고, 약점은 메모리와 파운드리 투자를 동시에 운영해야 하므로 실행 복잡도가 높다는 점입니다.

SK hynix는 1c DDR5를 공개했고, 2025년에는 업계 최초로 commercial High-NA EUV를 M16 fab에 들여왔다고 발표했습니다.

이 회사는 EUV를 DRAM 미세화와 AI memory 경쟁의 핵심 도구로 사용하고 있습니다.

내 평가는 SK hynix가 메모리 전략에서는 가장 공격적이고, High-NA까지 가장 앞서 실험하는 쪽입니다.

Micron은 1γ DRAM technology를 공식적으로 내세우고, 일본에서 EUV를 활용한 1γ 생산을 확대하겠다고 밝혔습니다.

이 전략은 기술 전환과 생산거점 분산을 동시에 추진하는 방식입니다.

장점은 공급망 다변화와 기술 신뢰성이고, 약점은 메모리 시장 전체에서 삼성·SK hynix만큼의 생태계 밀도를 확보해야 한다는 점입니다.

CXMT의 공식 제품 페이지는 DDR5가 최대 8000Mbps, LPDDR5X가 최대 10667Mbps라고 밝히고 있습니다.

하지만 공개 자료에서는 EUV 채택이 명시적으로 보이지 않고, 제품군 확대와 국내 시장 대응이 더 앞에 나옵니다.

그래서 공개 정보 기준으로는 CXMT를 EUV 선도 업체라기보다, 내수 중심 DRAM 확장 업체로 보는 편이 정확합니다.

비메모리에서는 TSMC와 Intel처럼 노드 경쟁이 전면에 나오고, 메모리에서는 DRAM/HBM의 밀도와 수율이 더 중요합니다.

같은 EUV라도 비메모리는 '더 작은 선폭'이 핵심이고, 메모리는 '더 높은 비트 수와 더 나은 전력 효율'이 핵심입니다.

그래서 메모리 전략을 볼 때는 장비 세대보다도 제품 전환 속도와 양산 안정성을 먼저 봐야 합니다.