SEMICONDUCTOR / EUV KNOWLEDGE HUB엔지니어의 EUV 공부 기록

PERSONAL NOTE내가 이해한 EUV만 따로 쌓아두는 페이지

한 엔지니어가 EUV를 공부하며 정리하는 사이트

제가 공부하면서 바로 적어둔 메모와 출처를 모아둡니다. 필요한 정보는 메인에서 바로 찾고, 더 자세한 내용은 글 목록에서 이어서 봅니다.

오늘의 포커스

지금 정리하고 있는 흐름

EUV는 장비 하나만 보는 기술이 아니라, 공정과 수율까지 같이 봐야 이해가 됩니다. 그래서 이 페이지에는 개념, 글, 출처를 함께 남깁니다.

EUV 기초13.5nm, 반사형 광학, 진공 환경의 핵심만 먼저 봅니다.메인 아티클오늘의 핵심 글 하나를 먼저 읽고 나서 관련 글로 이동합니다.전체 글 목록검색과 카테고리로 글을 찾고 싶을 때는 아카이브로 이동합니다.

오늘 읽을 메인 아티클

지금 공부 중인 핵심 주제를 먼저 읽고, 아래에서 관련 글로 자연스럽게 이동할 수 있게 배치했습니다.

High-NA

Intel의 High-NA EUV 100만 wafer, 진짜 의미는 무엇인가

Intel과 ASML이 공개한 High-NA EUV 100만 wafer 처리 기록은 분명 중요한 이정표입니다. 하지만 이 숫자는 순수 양산 wafer만이 아니라 tool certification, R&D, 일부 제품 layer 생산을 합친 값이라는 점까지 같이 봐야 합니다.

9월 13~14일에 나온 순수 신규 ASML/EUV 기술 뉴스는 약했지만, 9월 11일 TechRadar의 Intel High-NA EUV 100만 wafer 후속 기사는 포스팅할 가치가 있습니다.
공식 ASML/Intel 발표의 핵심은 Intel이 High-NA EUV로 100만 장 이상의 300mm wafer를 처리했고, 일부 Panther Lake layer에서 volume production에 사용하고 있다는 점입니다.
다만 이 100만 장에는 early tool certification, testing, R&D, 일부 양산 layer가 모두 포함됩니다. 따라서 'Panther Lake 100만 장 양산'으로 읽으면 안 됩니다.

IntelASMLHigh-NAEUVIntel 18A

글 전체 읽기

읽기 순서EUV 기초13.5nm, 반사형 광학, 진공 환경의 핵심만 먼저 봅니다.메인 아티클오늘의 핵심 글 하나를 먼저 읽고 나서 관련 글로 이동합니다.전체 글 목록검색과 카테고리로 글을 찾고 싶을 때는 아카이브로 이동합니다.

최근 글 3개6-inch mask와 12-inch mask는 무엇이 다른가High-NA · 15 min read 삼성-ASML 12-inch 포토마스크 협력이 중요한 이유High-NA · 10 min read High-NA EUV에서 6x12 마스크가 필요한 기술적 이유High-NA · 11 min read

최근 추가된 글

최근에 정리한 메모를 먼저 보여주고, 더 많은 글은 글 목록에서 찾도록 정리했습니다.

High-NA · 15 min read

6-inch mask와 12-inch mask는 무엇이 다른가

High-NA EUV에서 12-inch mask가 왜 등장했는지 정리했습니다. 핵심은 해상도 그 자체가 아니라 half-field, stitching, scanner productivity, mask ecosystem의 비용 구조입니다.

High-NAPhotomask6-inch Mask12-inch Mask

2026-09-125 sources

읽기

High-NA · 10 min read

삼성-ASML 12-inch 포토마스크 협력이 중요한 이유

삼성전자가 ASML과 High-NA EUV 협력을 확대하면서 12-inch 포토마스크 이니셔티브에 참여했습니다. 이건 장비 도입 뉴스라기보다 High-NA의 생산성을 좌우할 마스크 생태계 표준화 뉴스에 가깝습니다.

SamsungASMLHigh-NA12-inch Mask

2026-09-124 sources

읽기

High-NA · 11 min read

High-NA EUV에서 6x12 마스크가 필요한 기술적 이유

High-NA EUV의 0.55NA와 anamorphic optics는 해상도에는 유리하지만 노광 field를 줄입니다. 6x12-inch mask 논의는 이 half-field와 stitching 문제를 줄이기 위한 생산성 해법입니다.

High-NA6x12 MaskStitchingPhotomask

2026-09-124 sources

읽기

전체 글은 글 목록에서 더 쉽게 찾을 수 있습니다.

홈은 진입점 역할만 맡기고, 검색과 필터는 아카이브에서 처리하면 훨씬 덜 복잡합니다.

글 목록 열기

EUV 101

바로 읽는 기본 지식

공부를 시작할 때 먼저 적어둔 핵심 개념만 4개로 묶었습니다.

EUV란 무엇인가

Extreme Ultraviolet Lithography. 반도체 미세공정에서 사용하는 초단파장 노광 기술입니다.

왜 어려운가

13.5nm 빛은 공기와 일반 렌즈를 거의 통과하지 못해 진공 환경과 반사형 광학계가 필요합니다.

어디에 쓰이나

로직 반도체와 메모리의 최첨단 공정에서 사용되며, 공정 단순화와 미세화에 큰 역할을 합니다.

어떤 요소가 중요한가

광원 출력, 마스크 결함, 레지스트 감도, 펠리클, 오염 제어, 정렬 정밀도가 모두 중요합니다.

GLOSSARY

처음 보는 용어를 바로 읽기

EUV 문서를 읽을 때 자주 보이는 용어를 노트 기준으로 간단히 묶었습니다.

Numerical Aperture. 광학계의 집광 능력을 나타내며 해상도에 직접 영향합니다.

Resist

빛에 반응해 패턴을 만드는 감광재입니다. EUV에서는 민감도와 거칠기 균형이 중요합니다.

Pellicle

마스크 오염을 줄이기 위한 보호막입니다. EUV에서는 투과와 내열성이 까다롭습니다.

Mask

회로 패턴이 들어 있는 원판입니다. EUV는 반사형 마스크를 사용합니다.

SOURCES

홈 화면 출처

내가 참고한 공식 문서를 함께 적어둡니다.

이 페이지의 출처

ASML - Light & lasersEUV 파장과 광원 개요
ASML - The EUV pellicle마스크 보호와 결함 저감
Nikon - Digital Lithography SystemNikon의 maskless digital lithography 발표

NEXT STEPS

다음에는 무엇을 추가할까

지금은 배운 순서대로 쌓고, 이후에는 더 세분화해서 정리합니다.

오늘의 핵심 글을 1개씩 더해 아카이브 중심 구조를 유지한다.

공정 흐름도, 장비 구성, 용어, 비교 글을 하나씩 확장한다.

나중에는 태그, 검색, 카테고리로 더 빠르게 찾을 수 있게 한다.