삼성전자의 EUV 전략: 2028년 High-NA DRAM과 마스크 생태계

1. 이번 삼성 발표에서 확인된 사실

삼성전자와 ASML은 2026년 9월 8일 차세대 반도체 제조를 위한 전략 협력을 확대한다고 발표했습니다. 삼성은 ASML의 High-NA EUV를 차세대 DRAM High-Volume Manufacturing에 2028년까지 도입하겠다는 계획을 제시했습니다.

같은 발표에서 삼성은 High-NA EUV용 12-inch photomask technology initiative에도 참여한다고 밝혔습니다. 따라서 이번 뉴스는 '삼성이 High-NA 장비를 도입한다'는 한 줄보다, 노광기와 마스크를 함께 준비한다는 내용으로 읽는 편이 정확합니다.

2. 왜 DRAM에서 마스크가 중요한가

High-NA EUV는 0.55NA 광학계를 사용해 더 작은 패턴을 인쇄할 수 있지만, anamorphic optics 때문에 노광 가능한 field가 기존 EUV와 다르게 제한됩니다. 큰 메모리 다이나 로직 블록에서는 한 번에 찍을 수 있는 영역과 stitching 전략이 생산성에 영향을 줍니다.

현재 6x6-inch 마스크는 기존 생태계와 호환성이 높다는 장점이 있습니다. 반면 6x12-inch 같은 대형 포맷은 High-NA의 field 제약과 stitching 부담을 줄일 여지가 있지만, blank·writer·검사·수리·펠리클·핸들링 장비를 함께 바꿔야 합니다.

삼성이 12-inch initiative에 참여한 이유는 단순히 더 큰 마스크를 원하는 것이 아니라, DRAM의 반복 구조와 생산량을 고려할 때 대형 포맷의 경제성을 미리 검토해야 하기 때문으로 볼 수 있습니다. 이 문장은 발표 내용을 바탕으로 한 해석입니다.

3. 삼성 메모리와 파운드리의 시간표는 다르다

삼성의 공식 발표에서 명시적으로 확인되는 High-NA 양산 목표는 차세대 DRAM의 2028년 도입입니다. 반면 삼성 파운드리의 1.4nm·1nm급 공정과 High-NA 연결 시점은 별도 로드맵으로 봐야 합니다.

최근 업계 보도는 삼성 파운드리가 1.4nm급 공정을 2029년으로 조정하고 1nm급 이후 High-NA를 활용할 가능성을 전합니다. 하지만 이 내용은 보도와 행사 발표에 기반하므로, 삼성의 2028년 DRAM 공식 목표와 같은 확정 수준으로 표현하면 안 됩니다.

이 차이는 중요합니다. 메모리는 반복되는 셀과 높은 웨이퍼 생산량이 투자 판단을 이끌고, 파운드리는 고객별 설계·수율·마스크 비용·공정 호환성이 투자 판단을 이끕니다.

4. 삼성의 강점과 리스크

삼성의 강점은 메모리와 파운드리를 동시에 운영하며 공정·장비·마스크 생태계를 넓게 볼 수 있다는 점입니다. High-NA DRAM 적용과 대형 마스크 협력을 함께 추진하면 메모리에서 얻은 학습을 로직 공정과 장비 최적화에 연결할 여지도 있습니다.

리스크는 일정 자체보다 양산 경제성입니다. High-NA 장비의 해상도 이득이 멀티 패터닝 감소, 수율 개선, 노광 횟수 감소로 실제 연결되지 않으면 장비 가격과 마스크 전환 비용이 부담이 됩니다.

또한 HBM은 전공정 EUV만으로 결정되지 않습니다. 다이 적층, 본딩, 열 설계, 테스트까지 포함한 전체 수율이 맞아야 하므로 EUV 성능을 HBM 경쟁력과 일대일로 연결해서는 안 됩니다.

5. 결론

삼성전자의 최신 EUV 전략은 2028년 DRAM High-NA 양산과 12-inch 마스크 생태계 참여라는 두 축으로 정리할 수 있습니다.

삼성이 해결해야 할 질문은 'High-NA를 도입할 수 있는가'가 아니라 '어떤 DRAM 층에 적용해야 가장 큰 수율·밀도·원가 효과를 얻는가'입니다.

이번 발표는 삼성의 EUV 전환이 장비 구매 단계에서 마스크, 설계, 생산성까지 포함하는 산업 표준화 단계로 넘어가고 있다는 신호로 볼 수 있습니다.