SK하이닉스의 EUV 전략: 1a 양산에서 1c와 High-NA로

1. SK하이닉스에서 EUV는 이미 현재형이다

SK하이닉스의 EUV는 아직 도입 여부를 검토하는 단계가 아닙니다. 회사는 2021년 1a, 즉 10나노급 4세대 DRAM 양산에 EUV를 적용했고, 이후 가장 미세한 DRAM 층을 중심으로 적용 범위를 넓혀 왔습니다.

회사가 당시 설명한 EUV의 효과는 같은 웨이퍼에서 생산되는 DRAM 칩 수를 늘리고 전력 효율과 성능을 개선하는 것이었습니다. 다만 이 효과는 노광기 한 대만으로 생기지 않고, 레지스트와 식각, 세정, 검사, 수율이 함께 안정화될 때 나타납니다.

2. M16 High-NA 장비의 의미

2025년 9월 SK하이닉스는 이천 M16에 양산용 High-NA EUV 시스템인 ASML EXE:5200B를 조립했다고 발표했습니다. High-NA는 기존 0.33NA EUV보다 높은 0.55NA를 사용해 더 작은 패턴을 겨냥하는 플랫폼입니다.

SK하이닉스 발표에서 제시한 비교 수치는 기존 EUV 대비 트랜지스터 패턴을 1.7배 더 작게 인쇄하고, 트랜지스터 밀도를 2.9배 높일 수 있다는 기대치입니다. 이 숫자는 특정 제품의 실제 수율이나 전체 칩 성능이 아니라 광학 해상도와 밀도에 관한 장비·공정상의 기대치로 읽어야 합니다.

M16에 장비를 배치했다는 사실의 핵심은 연구용 평가를 넘어 차세대 DRAM 양산 흐름에 High-NA를 연결하려는 준비라는 점입니다.

3. 1c DRAM과 EUV 투자의 연결

2026년 SK하이닉스는 1c 공정 기반 LPDDR6와 서버·AI용 메모리 제품을 확대하는 방향을 제시했습니다. 1c는 10나노급 6세대 DRAM 공정으로 불리며, 미세화가 진행될수록 EUV 적용층의 중요성이 커집니다.

최근 업계 보도에서는 SK하이닉스의 1c 생산 비중이 2026년 하반기부터 높아지고 2027년에는 1b를 넘어설 수 있다는 전망이 나왔습니다. 다만 이 전망은 회사가 모든 분기별 생산 비중을 공식 공시한 자료가 아니므로, 방향성으로만 보는 것이 안전합니다.

EUV 장비 확보와 1c 전환은 별개의 투자가 아닙니다. 1c 웨이퍼 투입량이 늘면 노광기뿐 아니라 마스크, 펠리클, 검사, 공정 모니터링 능력도 함께 늘어야 합니다.

4. HBM4E에서 EUV가 해결해야 할 문제

HBM은 단순히 DRAM 셀을 작게 만드는 경쟁이 아닙니다. 여러 개의 메모리 다이를 쌓고, 높은 대역폭과 낮은 전력, 열 신뢰성, 패키징 수율을 동시에 맞춰야 합니다.

따라서 SK하이닉스가 High-NA를 도입한다고 해서 곧바로 HBM4E의 모든 층이 High-NA로 바뀐다고 단정할 수는 없습니다. 실제 적용 층은 설계 규칙, 노광 비용, 수율, 패키징 요구사항을 비교해 선택될 가능성이 높습니다.

내가 보는 SK하이닉스의 포인트는 EUV를 기술 과시용 장비가 아니라 HBM 공급 안정성과 1c DRAM 생산성에 연결하려 한다는 데 있습니다.

5. 결론

SK하이닉스는 EUV를 1a에서 검증하고, 1b와 1c로 확장하며, High-NA를 차세대 DRAM의 생산 플랫폼으로 준비하는 순서에 있습니다.

2028년 High-NA DRAM 양산 목표가 실제 성과로 이어지려면 장비 설치보다 더 어려운 과제가 남아 있습니다. 공정 창, 수율, 마스크 결함, 장비 가동률, HBM 패키징 수율을 하나의 원가 구조 안에서 맞춰야 합니다.

그래서 SK하이닉스의 EUV 전략은 '누가 먼저 High-NA를 샀는가'보다 '누가 EUV를 안정적인 HBM 공급으로 바꾸는가'라는 질문으로 평가하는 것이 맞습니다.